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Advance Technical Infomation
IXTQ 80N28T
Trench Gate
Power MOSFET
IXTQ 80N28T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 280 V
= 80 A
= 49 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
For Plasma Display Applications
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-3P (IXTQ)
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
280
280
± 30
V
V
V
I D25
I DRMS
I DM
T C = 25 ° C
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
80
75
240
A
A
A
G
D
S
(TAB)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 Ω
5
V/ns
G = Gate
D = Drain
P D
T C = 25 ° C
500
W
S = Source
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Features
Trench gate construction for low R DS(on)
International standard package
T L
M d
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Mounting torque (TO-3P)
300 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Weight
5.5
g
Advantages
Easy to mount
Space savings
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
High power density
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D =1mA
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
280
3.0
300
5.0
± 200
1
200
V
V
nA
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
42
49
m Ω
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99355B(03/06)
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